Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3709ZS
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Číslo dílu
IRF3709ZS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2130pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6086 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3709ZS
IRF3709ZS Elektronické komponenty
IRF3709ZS Odbyt
IRF3709ZS Dodavatel
IRF3709ZS Distributor
IRF3709ZS Datová tabulka
IRF3709ZS Fotky
IRF3709ZS Cena
IRF3709ZS Nabídka
IRF3709ZS Nejnižší cena
IRF3709ZS Vyhledávání
IRF3709ZS Nákup
IRF3709ZS Chip