Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3709ZSTRR
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Číslo dílu
IRF3709ZSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2130pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52352 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3709ZSTRR
IRF3709ZSTRR Elektronické komponenty
IRF3709ZSTRR Odbyt
IRF3709ZSTRR Dodavatel
IRF3709ZSTRR Distributor
IRF3709ZSTRR Datová tabulka
IRF3709ZSTRR Fotky
IRF3709ZSTRR Cena
IRF3709ZSTRR Nabídka
IRF3709ZSTRR Nejnižší cena
IRF3709ZSTRR Vyhledávání
IRF3709ZSTRR Nákup
IRF3709ZSTRR Chip