Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3710ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3710ZGPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36586 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3710ZGPBF
IRF3710ZGPBF Elektronické komponenty
IRF3710ZGPBF Odbyt
IRF3710ZGPBF Dodavatel
IRF3710ZGPBF Distributor
IRF3710ZGPBF Datová tabulka
IRF3710ZGPBF Fotky
IRF3710ZGPBF Cena
IRF3710ZGPBF Nabídka
IRF3710ZGPBF Nejnižší cena
IRF3710ZGPBF Vyhledávání
IRF3710ZGPBF Nákup
IRF3710ZGPBF Chip