Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3711STRRPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRF3711STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10119 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3711STRRPBF
IRF3711STRRPBF Elektronické komponenty
IRF3711STRRPBF Odbyt
IRF3711STRRPBF Dodavatel
IRF3711STRRPBF Distributor
IRF3711STRRPBF Datová tabulka
IRF3711STRRPBF Fotky
IRF3711STRRPBF Cena
IRF3711STRRPBF Nabídka
IRF3711STRRPBF Nejnižší cena
IRF3711STRRPBF Vyhledávání
IRF3711STRRPBF Nákup
IRF3711STRRPBF Chip