Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3711ZS

IRF3711ZS

MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
Číslo dílu
IRF3711ZS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
92A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2150pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25573 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF3711ZS
IRF3711ZS Elektronické komponenty
IRF3711ZS Odbyt
IRF3711ZS Dodavatel
IRF3711ZS Distributor
IRF3711ZS Datová tabulka
IRF3711ZS Fotky
IRF3711ZS Cena
IRF3711ZS Nabídka
IRF3711ZS Nejnižší cena
IRF3711ZS Vyhledávání
IRF3711ZS Nákup
IRF3711ZS Chip