IRF3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF3717TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2890pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12588 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3717TRPBF
IRF3717TRPBF Elektronické komponenty
IRF3717TRPBF Odbyt
IRF3717TRPBF Dodavatel
IRF3717TRPBF Distributor
IRF3717TRPBF Datová tabulka
IRF3717TRPBF Fotky
IRF3717TRPBF Cena
IRF3717TRPBF Nabídka
IRF3717TRPBF Nejnižší cena
IRF3717TRPBF Vyhledávání
IRF3717TRPBF Nákup
IRF3717TRPBF Chip