Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7102
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7102
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36736 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7102
IRF7102 Elektronické komponenty
IRF7102 Odbyt
IRF7102 Dodavatel
IRF7102 Distributor
IRF7102 Datová tabulka
IRF7102 Fotky
IRF7102 Cena
IRF7102 Nabídka
IRF7102 Nejnižší cena
IRF7102 Vyhledávání
IRF7102 Nákup
IRF7102 Chip