IRF7103TRPBF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7103TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12158 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF Elektronické komponenty
IRF7103TRPBF Odbyt
IRF7103TRPBF Dodavatel
IRF7103TRPBF Distributor
IRF7103TRPBF Datová tabulka
IRF7103TRPBF Fotky
IRF7103TRPBF Cena
IRF7103TRPBF Nabídka
IRF7103TRPBF Nejnižší cena
IRF7103TRPBF Vyhledávání
IRF7103TRPBF Nákup
IRF7103TRPBF Chip