Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7207PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48214 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7207PBF
IRF7207PBF Elektronické komponenty
IRF7207PBF Odbyt
IRF7207PBF Dodavatel
IRF7207PBF Distributor
IRF7207PBF Datová tabulka
IRF7207PBF Fotky
IRF7207PBF Cena
IRF7207PBF Nabídka
IRF7207PBF Nejnižší cena
IRF7207PBF Vyhledávání
IRF7207PBF Nákup
IRF7207PBF Chip