Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7233TRPBF
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7233TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22965 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7233TRPBF
IRF7233TRPBF Elektronické komponenty
IRF7233TRPBF Odbyt
IRF7233TRPBF Dodavatel
IRF7233TRPBF Distributor
IRF7233TRPBF Datová tabulka
IRF7233TRPBF Fotky
IRF7233TRPBF Cena
IRF7233TRPBF Nabídka
IRF7233TRPBF Nejnižší cena
IRF7233TRPBF Vyhledávání
IRF7233TRPBF Nákup
IRF7233TRPBF Chip