IRF7301TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7301TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.2A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39165 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7301TRPBF
IRF7301TRPBF Elektronické komponenty
IRF7301TRPBF Odbyt
IRF7301TRPBF Dodavatel
IRF7301TRPBF Distributor
IRF7301TRPBF Datová tabulka
IRF7301TRPBF Fotky
IRF7301TRPBF Cena
IRF7301TRPBF Nabídka
IRF7301TRPBF Nejnižší cena
IRF7301TRPBF Vyhledávání
IRF7301TRPBF Nákup
IRF7301TRPBF Chip