Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7311TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7311TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.6A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6154 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7311TRPBF
IRF7311TRPBF Elektronické komponenty
IRF7311TRPBF Odbyt
IRF7311TRPBF Dodavatel
IRF7311TRPBF Distributor
IRF7311TRPBF Datová tabulka
IRF7311TRPBF Fotky
IRF7311TRPBF Cena
IRF7311TRPBF Nabídka
IRF7311TRPBF Nejnižší cena
IRF7311TRPBF Vyhledávání
IRF7311TRPBF Nákup
IRF7311TRPBF Chip