Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7319PBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Číslo dílu
IRF7319PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31836 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7319PBF
IRF7319PBF Elektronické komponenty
IRF7319PBF Odbyt
IRF7319PBF Dodavatel
IRF7319PBF Distributor
IRF7319PBF Datová tabulka
IRF7319PBF Fotky
IRF7319PBF Cena
IRF7319PBF Nabídka
IRF7319PBF Nejnižší cena
IRF7319PBF Vyhledávání
IRF7319PBF Nákup
IRF7319PBF Chip