Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7329TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.2A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3450pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17031 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7329TRPBF
IRF7329TRPBF Elektronické komponenty
IRF7329TRPBF Odbyt
IRF7329TRPBF Dodavatel
IRF7329TRPBF Distributor
IRF7329TRPBF Datová tabulka
IRF7329TRPBF Fotky
IRF7329TRPBF Cena
IRF7329TRPBF Nabídka
IRF7329TRPBF Nejnižší cena
IRF7329TRPBF Vyhledávání
IRF7329TRPBF Nákup
IRF7329TRPBF Chip