IRF7341QTRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7341QTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2.4W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36723 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7341QTRPBF
IRF7341QTRPBF Elektronické komponenty
IRF7341QTRPBF Odbyt
IRF7341QTRPBF Dodavatel
IRF7341QTRPBF Distributor
IRF7341QTRPBF Datová tabulka
IRF7341QTRPBF Fotky
IRF7341QTRPBF Cena
IRF7341QTRPBF Nabídka
IRF7341QTRPBF Nejnižší cena
IRF7341QTRPBF Vyhledávání
IRF7341QTRPBF Nákup
IRF7341QTRPBF Chip