IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7343TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19981 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF Elektronické komponenty
IRF7343TRPBF Odbyt
IRF7343TRPBF Dodavatel
IRF7343TRPBF Distributor
IRF7343TRPBF Datová tabulka
IRF7343TRPBF Fotky
IRF7343TRPBF Cena
IRF7343TRPBF Nabídka
IRF7343TRPBF Nejnižší cena
IRF7343TRPBF Vyhledávání
IRF7343TRPBF Nákup
IRF7343TRPBF Chip