IRF7350TRPBF
MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7350TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.1A, 1.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40644 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7350TRPBF
IRF7350TRPBF Elektronické komponenty
IRF7350TRPBF Odbyt
IRF7350TRPBF Dodavatel
IRF7350TRPBF Distributor
IRF7350TRPBF Datová tabulka
IRF7350TRPBF Fotky
IRF7350TRPBF Cena
IRF7350TRPBF Nabídka
IRF7350TRPBF Nejnižší cena
IRF7350TRPBF Vyhledávání
IRF7350TRPBF Nákup
IRF7350TRPBF Chip