Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7389
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7389
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21184 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7389
IRF7389 Elektronické komponenty
IRF7389 Odbyt
IRF7389 Dodavatel
IRF7389 Distributor
IRF7389 Datová tabulka
IRF7389 Fotky
IRF7389 Cena
IRF7389 Nabídka
IRF7389 Nejnižší cena
IRF7389 Vyhledávání
IRF7389 Nákup
IRF7389 Chip