Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7389PBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7389PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40264 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7389PBF
IRF7389PBF Elektronické komponenty
IRF7389PBF Odbyt
IRF7389PBF Dodavatel
IRF7389PBF Distributor
IRF7389PBF Datová tabulka
IRF7389PBF Fotky
IRF7389PBF Cena
IRF7389PBF Nabídka
IRF7389PBF Nejnižší cena
IRF7389PBF Vyhledávání
IRF7389PBF Nákup
IRF7389PBF Chip