IRF7404TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7404TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27457 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7404TRPBF
IRF7404TRPBF Elektronické komponenty
IRF7404TRPBF Odbyt
IRF7404TRPBF Dodavatel
IRF7404TRPBF Distributor
IRF7404TRPBF Datová tabulka
IRF7404TRPBF Fotky
IRF7404TRPBF Cena
IRF7404TRPBF Nabídka
IRF7404TRPBF Nejnižší cena
IRF7404TRPBF Vyhledávání
IRF7404TRPBF Nákup
IRF7404TRPBF Chip