IRF7406GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7406GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28696 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7406GTRPBF
IRF7406GTRPBF Elektronické komponenty
IRF7406GTRPBF Odbyt
IRF7406GTRPBF Dodavatel
IRF7406GTRPBF Distributor
IRF7406GTRPBF Datová tabulka
IRF7406GTRPBF Fotky
IRF7406GTRPBF Cena
IRF7406GTRPBF Nabídka
IRF7406GTRPBF Nejnižší cena
IRF7406GTRPBF Vyhledávání
IRF7406GTRPBF Nákup
IRF7406GTRPBF Chip