IRF7413GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7413GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22862 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7413GTRPBF
IRF7413GTRPBF Elektronické komponenty
IRF7413GTRPBF Odbyt
IRF7413GTRPBF Dodavatel
IRF7413GTRPBF Distributor
IRF7413GTRPBF Datová tabulka
IRF7413GTRPBF Fotky
IRF7413GTRPBF Cena
IRF7413GTRPBF Nabídka
IRF7413GTRPBF Nejnižší cena
IRF7413GTRPBF Vyhledávání
IRF7413GTRPBF Nákup
IRF7413GTRPBF Chip