IRF7413ZGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7413ZGTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1210pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7102 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7413ZGTRPBF
IRF7413ZGTRPBF Elektronické komponenty
IRF7413ZGTRPBF Odbyt
IRF7413ZGTRPBF Dodavatel
IRF7413ZGTRPBF Distributor
IRF7413ZGTRPBF Datová tabulka
IRF7413ZGTRPBF Fotky
IRF7413ZGTRPBF Cena
IRF7413ZGTRPBF Nabídka
IRF7413ZGTRPBF Nejnižší cena
IRF7413ZGTRPBF Vyhledávání
IRF7413ZGTRPBF Nákup
IRF7413ZGTRPBF Chip