Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7433PBF
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7433PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1877pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19270 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7433PBF
IRF7433PBF Elektronické komponenty
IRF7433PBF Odbyt
IRF7433PBF Dodavatel
IRF7433PBF Distributor
IRF7433PBF Datová tabulka
IRF7433PBF Fotky
IRF7433PBF Cena
IRF7433PBF Nabídka
IRF7433PBF Nejnižší cena
IRF7433PBF Vyhledávání
IRF7433PBF Nákup
IRF7433PBF Chip