Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7464PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
730 mOhm @ 720mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52490 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7464PBF
IRF7464PBF Elektronické komponenty
IRF7464PBF Odbyt
IRF7464PBF Dodavatel
IRF7464PBF Distributor
IRF7464PBF Datová tabulka
IRF7464PBF Fotky
IRF7464PBF Cena
IRF7464PBF Nabídka
IRF7464PBF Nejnižší cena
IRF7464PBF Vyhledávání
IRF7464PBF Nákup
IRF7464PBF Chip