Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7465PBF
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7465PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13539 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7465PBF
IRF7465PBF Elektronické komponenty
IRF7465PBF Odbyt
IRF7465PBF Dodavatel
IRF7465PBF Distributor
IRF7465PBF Datová tabulka
IRF7465PBF Fotky
IRF7465PBF Cena
IRF7465PBF Nabídka
IRF7465PBF Nejnižší cena
IRF7465PBF Vyhledávání
IRF7465PBF Nákup
IRF7465PBF Chip