Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7467TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7467TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2530pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25220 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7467TRPBF
IRF7467TRPBF Elektronické komponenty
IRF7467TRPBF Odbyt
IRF7467TRPBF Dodavatel
IRF7467TRPBF Distributor
IRF7467TRPBF Datová tabulka
IRF7467TRPBF Fotky
IRF7467TRPBF Cena
IRF7467TRPBF Nabídka
IRF7467TRPBF Nejnižší cena
IRF7467TRPBF Vyhledávání
IRF7467TRPBF Nákup
IRF7467TRPBF Chip