Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7471PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7471PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2820pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40058 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7471PBF
IRF7471PBF Elektronické komponenty
IRF7471PBF Odbyt
IRF7471PBF Dodavatel
IRF7471PBF Distributor
IRF7471PBF Datová tabulka
IRF7471PBF Fotky
IRF7471PBF Cena
IRF7471PBF Nabídka
IRF7471PBF Nejnižší cena
IRF7471PBF Vyhledávání
IRF7471PBF Nákup
IRF7471PBF Chip