Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7477PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7477PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2710pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7581 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7477PBF
IRF7477PBF Elektronické komponenty
IRF7477PBF Odbyt
IRF7477PBF Dodavatel
IRF7477PBF Distributor
IRF7477PBF Datová tabulka
IRF7477PBF Fotky
IRF7477PBF Cena
IRF7477PBF Nabídka
IRF7477PBF Nejnižší cena
IRF7477PBF Vyhledávání
IRF7477PBF Nákup
IRF7477PBF Chip