IRF7477TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7477TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2710pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6385 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7477TRPBF
IRF7477TRPBF Elektronické komponenty
IRF7477TRPBF Odbyt
IRF7477TRPBF Dodavatel
IRF7477TRPBF Distributor
IRF7477TRPBF Datová tabulka
IRF7477TRPBF Fotky
IRF7477TRPBF Cena
IRF7477TRPBF Nabídka
IRF7477TRPBF Nejnižší cena
IRF7477TRPBF Vyhledávání
IRF7477TRPBF Nákup
IRF7477TRPBF Chip