Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7492TRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7492TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
79 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1820pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47136 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7492TRPBF
IRF7492TRPBF Elektronické komponenty
IRF7492TRPBF Odbyt
IRF7492TRPBF Dodavatel
IRF7492TRPBF Distributor
IRF7492TRPBF Datová tabulka
IRF7492TRPBF Fotky
IRF7492TRPBF Cena
IRF7492TRPBF Nabídka
IRF7492TRPBF Nejnižší cena
IRF7492TRPBF Vyhledávání
IRF7492TRPBF Nákup
IRF7492TRPBF Chip