IRF7494TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7494TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
44 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1783pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50686 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7494TRPBF
IRF7494TRPBF Elektronické komponenty
IRF7494TRPBF Odbyt
IRF7494TRPBF Dodavatel
IRF7494TRPBF Distributor
IRF7494TRPBF Datová tabulka
IRF7494TRPBF Fotky
IRF7494TRPBF Cena
IRF7494TRPBF Nabídka
IRF7494TRPBF Nejnižší cena
IRF7494TRPBF Vyhledávání
IRF7494TRPBF Nákup
IRF7494TRPBF Chip