Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7495PBF
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7495PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40730 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7495PBF
IRF7495PBF Elektronické komponenty
IRF7495PBF Odbyt
IRF7495PBF Dodavatel
IRF7495PBF Distributor
IRF7495PBF Datová tabulka
IRF7495PBF Fotky
IRF7495PBF Cena
IRF7495PBF Nabídka
IRF7495PBF Nejnižší cena
IRF7495PBF Vyhledávání
IRF7495PBF Nákup
IRF7495PBF Chip