IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Číslo dílu
IRF7509TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Výkon - Max
1.25W
Dodavatelský balíček zařízení
Micro8™
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A, 2A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38837 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF Elektronické komponenty
IRF7509TRPBF Odbyt
IRF7509TRPBF Dodavatel
IRF7509TRPBF Distributor
IRF7509TRPBF Datová tabulka
IRF7509TRPBF Fotky
IRF7509TRPBF Cena
IRF7509TRPBF Nabídka
IRF7509TRPBF Nejnižší cena
IRF7509TRPBF Vyhledávání
IRF7509TRPBF Nákup
IRF7509TRPBF Chip