IRF7665S2TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
Číslo dílu
IRF7665S2TR1PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SB
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET SB
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
515pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14995 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7665S2TR1PBF
IRF7665S2TR1PBF Elektronické komponenty
IRF7665S2TR1PBF Odbyt
IRF7665S2TR1PBF Dodavatel
IRF7665S2TR1PBF Distributor
IRF7665S2TR1PBF Datová tabulka
IRF7665S2TR1PBF Fotky
IRF7665S2TR1PBF Cena
IRF7665S2TR1PBF Nabídka
IRF7665S2TR1PBF Nejnižší cena
IRF7665S2TR1PBF Vyhledávání
IRF7665S2TR1PBF Nákup
IRF7665S2TR1PBF Chip