IRF7701TRPBF
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7701TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27035 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7701TRPBF
IRF7701TRPBF Elektronické komponenty
IRF7701TRPBF Odbyt
IRF7701TRPBF Dodavatel
IRF7701TRPBF Distributor
IRF7701TRPBF Datová tabulka
IRF7701TRPBF Fotky
IRF7701TRPBF Cena
IRF7701TRPBF Nabídka
IRF7701TRPBF Nejnižší cena
IRF7701TRPBF Vyhledávání
IRF7701TRPBF Nákup
IRF7701TRPBF Chip