Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7807D1PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807D1PBF
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10601 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807D1PBF
IRF7807D1PBF Elektronické komponenty
IRF7807D1PBF Odbyt
IRF7807D1PBF Dodavatel
IRF7807D1PBF Distributor
IRF7807D1PBF Datová tabulka
IRF7807D1PBF Fotky
IRF7807D1PBF Cena
IRF7807D1PBF Nabídka
IRF7807D1PBF Nejnižší cena
IRF7807D1PBF Vyhledávání
IRF7807D1PBF Nákup
IRF7807D1PBF Chip