Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7807VD1PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807VD1PBF
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21132 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807VD1PBF
IRF7807VD1PBF Elektronické komponenty
IRF7807VD1PBF Odbyt
IRF7807VD1PBF Dodavatel
IRF7807VD1PBF Distributor
IRF7807VD1PBF Datová tabulka
IRF7807VD1PBF Fotky
IRF7807VD1PBF Cena
IRF7807VD1PBF Nabídka
IRF7807VD1PBF Nejnižší cena
IRF7807VD1PBF Vyhledávání
IRF7807VD1PBF Nákup
IRF7807VD1PBF Chip