IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7811WGTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2335pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38701 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7811WGTRPBF
IRF7811WGTRPBF Elektronické komponenty
IRF7811WGTRPBF Odbyt
IRF7811WGTRPBF Dodavatel
IRF7811WGTRPBF Distributor
IRF7811WGTRPBF Datová tabulka
IRF7811WGTRPBF Fotky
IRF7811WGTRPBF Cena
IRF7811WGTRPBF Nabídka
IRF7811WGTRPBF Nejnižší cena
IRF7811WGTRPBF Vyhledávání
IRF7811WGTRPBF Nákup
IRF7811WGTRPBF Chip