Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7820PBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Číslo dílu
IRF7820PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54737 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7820PBF
IRF7820PBF Elektronické komponenty
IRF7820PBF Odbyt
IRF7820PBF Dodavatel
IRF7820PBF Distributor
IRF7820PBF Datová tabulka
IRF7820PBF Fotky
IRF7820PBF Cena
IRF7820PBF Nabídka
IRF7820PBF Nejnižší cena
IRF7820PBF Vyhledávání
IRF7820PBF Nákup
IRF7820PBF Chip