IRF7821GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7821GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7581 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7821GTRPBF
IRF7821GTRPBF Elektronické komponenty
IRF7821GTRPBF Odbyt
IRF7821GTRPBF Dodavatel
IRF7821GTRPBF Distributor
IRF7821GTRPBF Datová tabulka
IRF7821GTRPBF Fotky
IRF7821GTRPBF Cena
IRF7821GTRPBF Nabídka
IRF7821GTRPBF Nejnižší cena
IRF7821GTRPBF Vyhledávání
IRF7821GTRPBF Nákup
IRF7821GTRPBF Chip