Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7822PBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7822PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46498 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7822PBF
IRF7822PBF Elektronické komponenty
IRF7822PBF Odbyt
IRF7822PBF Dodavatel
IRF7822PBF Distributor
IRF7822PBF Datová tabulka
IRF7822PBF Fotky
IRF7822PBF Cena
IRF7822PBF Nabídka
IRF7822PBF Nejnižší cena
IRF7822PBF Vyhledávání
IRF7822PBF Nákup
IRF7822PBF Chip