Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7831PBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7831PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6240pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7228 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7831PBF
IRF7831PBF Elektronické komponenty
IRF7831PBF Odbyt
IRF7831PBF Dodavatel
IRF7831PBF Distributor
IRF7831PBF Datová tabulka
IRF7831PBF Fotky
IRF7831PBF Cena
IRF7831PBF Nabídka
IRF7831PBF Nejnižší cena
IRF7831PBF Vyhledávání
IRF7831PBF Nákup
IRF7831PBF Chip