Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7834PBF
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7834PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3710pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23846 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7834PBF
IRF7834PBF Elektronické komponenty
IRF7834PBF Odbyt
IRF7834PBF Dodavatel
IRF7834PBF Distributor
IRF7834PBF Datová tabulka
IRF7834PBF Fotky
IRF7834PBF Cena
IRF7834PBF Nabídka
IRF7834PBF Nejnižší cena
IRF7834PBF Vyhledávání
IRF7834PBF Nákup
IRF7834PBF Chip