Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7834TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3710pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27706 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7834TR
IRF7834TR Elektronické komponenty
IRF7834TR Odbyt
IRF7834TR Dodavatel
IRF7834TR Distributor
IRF7834TR Datová tabulka
IRF7834TR Fotky
IRF7834TR Cena
IRF7834TR Nabídka
IRF7834TR Nejnižší cena
IRF7834TR Vyhledávání
IRF7834TR Nákup
IRF7834TR Chip