IRF7902TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Číslo dílu
IRF7902TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.4W, 2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.4A, 9.7A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33640 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7902TRPBF
IRF7902TRPBF Elektronické komponenty
IRF7902TRPBF Odbyt
IRF7902TRPBF Dodavatel
IRF7902TRPBF Distributor
IRF7902TRPBF Datová tabulka
IRF7902TRPBF Fotky
IRF7902TRPBF Cena
IRF7902TRPBF Nabídka
IRF7902TRPBF Nejnižší cena
IRF7902TRPBF Vyhledávání
IRF7902TRPBF Nákup
IRF7902TRPBF Chip