Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7904PBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
Číslo dílu
IRF7904PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.4W, 2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.6A, 11A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16.2 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18609 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7904PBF
IRF7904PBF Elektronické komponenty
IRF7904PBF Odbyt
IRF7904PBF Dodavatel
IRF7904PBF Distributor
IRF7904PBF Datová tabulka
IRF7904PBF Fotky
IRF7904PBF Cena
IRF7904PBF Nabídka
IRF7904PBF Nejnižší cena
IRF7904PBF Vyhledávání
IRF7904PBF Nákup
IRF7904PBF Chip