Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7905PBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC
Číslo dílu
IRF7905PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.8A, 8.9A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21.8 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40955 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7905PBF
IRF7905PBF Elektronické komponenty
IRF7905PBF Odbyt
IRF7905PBF Dodavatel
IRF7905PBF Distributor
IRF7905PBF Datová tabulka
IRF7905PBF Fotky
IRF7905PBF Cena
IRF7905PBF Nabídka
IRF7905PBF Nejnižší cena
IRF7905PBF Vyhledávání
IRF7905PBF Nákup
IRF7905PBF Chip