Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7907PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Číslo dílu
IRF7907PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.1A, 11A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22740 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7907PBF
IRF7907PBF Elektronické komponenty
IRF7907PBF Odbyt
IRF7907PBF Dodavatel
IRF7907PBF Distributor
IRF7907PBF Datová tabulka
IRF7907PBF Fotky
IRF7907PBF Cena
IRF7907PBF Nabídka
IRF7907PBF Nejnižší cena
IRF7907PBF Vyhledávání
IRF7907PBF Nákup
IRF7907PBF Chip