IRF7907TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7907TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.1A, 11A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18252 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7907TRPBF
IRF7907TRPBF Elektronické komponenty
IRF7907TRPBF Odbyt
IRF7907TRPBF Dodavatel
IRF7907TRPBF Distributor
IRF7907TRPBF Datová tabulka
IRF7907TRPBF Fotky
IRF7907TRPBF Cena
IRF7907TRPBF Nabídka
IRF7907TRPBF Nejnižší cena
IRF7907TRPBF Vyhledávání
IRF7907TRPBF Nákup
IRF7907TRPBF Chip